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  此外,VLMTG2332ABCA-0在20 mA下典型波长为525 nm,是健身追踪器和其他通过绿光吸收率不同进行心率检测设备的理想选择。VLMB2332T1U2-08在20 mA下典型波长为465 nm,适用于那些利用短波长蓝光检测微小颗粒的烟雾探测器。
st是什么芯片  随着数字内容的爆发式增长,消费者需要一款更大容量、强劲耐用的存储解决方案来实现数据的高效访问与妥善保存。近日,西部数据旗下的西数、WD_BLACK、闪迪大师产品系列发布了全球领先容量的2.5英寸便携式移动硬盘产品,包括6TB容量型号的*西数My Passport移动硬盘系列产品、WD_BLACK P10 游戏移动硬盘以及闪迪大师极客 G-DRIVEArmorATD 外置硬盘。
  与所有英飞凌 MCU 一样,英飞凌 PSOC 控制系列由 ModusToolbox 软件开发生态系统支持,该生态系统包括用于产品评估和生产的构建块。这些模块包括无刷和永磁电机的磁场定向控制 (FOC)、功率转换算法(PFC、LLC、Buck 等)和设备驱动程序。还包括评估板、系统参考设计、调试器和基于 PC 的开发工具。
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  纳微发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计,其采用了型号为G3F45MT60L(额定电压为650V、40mΩ,TOLL封装)的GeneSiC G3F FETs,用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515(额定电压650V,35mΩ,TOLL封装)的GaNSafe?
  半导体制冷模块是一种能量转换装置,半导体晶体夹在铜基板之间,通电后,基板的一面吸热(冷却),另一面放热(加热)。这种装置能够使表面温度迅速变冷或变热,调节到特定温度或保持在设定的目标温度。
st是什么芯片  随着储能、充电桩、电源(UPS等)等市场的快速发展,对于高性能、高可靠性的电流传感器需求日益增长。这些应用场景通常需要实时、地监测和控制电流,以确保系统的稳定运行和安全性。然而,传统的开环电流传感器模组往往存在体积大、成本高、精度不足等问题,难以满足这些应用场景的需求。
  使用Qi2参考设计有助于限度地降低客户在终产品时的风险,因为终产品必须通过Qi流程。由于集成了多个Microchip 通过汽车的部件,双板充电器还符合汽车可靠性和安全性标准。汽车级硬件和软件解决方案支持汽车开放系统架构(AUTOSAR) 和 AUTOSAR单片机抽象层架构(MCAL)及功能安全等,使汽车集成变得更加容易。集成的 CryptoAuthentication IC可提供足够的安全性,以满足Qi标准严格的要求。
  为了确保测试系统未来的可扩展性,PXI/PXIe型号40/42-590和LXI型号65-290产品均拥有loop-thru拓展接口,其中矩阵规模大小可以通过使用符合标准的短电缆在机箱中互连相邻模块来扩展-PXI/PXI型号允许进行X轴扩展,而LXI型号允许进行X轴和Y轴扩展,可实现每个机箱高达 16×96 的矩阵大小,也可以通过简单的连接灵活扩展到其他机箱。同时每个PXI模块只占用一个机箱槽位。如此小的槽位占用是通过使用高密度同轴连接器来实现的,以此实现低漏电流驱动保护测量。
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FCS866R基于可靠的SDIO 3.0接口,可实现高速、低功耗的数据无线传输,并支持-20 °C ~ +70 °C的工作温度;FCE863R则采用可靠的PCIe 1.1接口以同样实现高速、低功耗的Wi-Fi无线传输,同时支持-20°C ~+70°C的工作温度。此外,为适应更多工业场景的应用,FCE863R新增子型号,支持-40°C ~+85°C的工作温度,进一步拓宽了模组的应用场景。
st是什么芯片REC10K、REC20K 和 REC30K 系列的功率分别为 10 W、20 W 和 30 W,具有 4:1(9-36 VDC 或 18-75 VDC)输入电压范围,提供多种稳压输出电压选项:3.3 V、5 V、9 V、12 V、15 V、24 V、+/-5 V、+/-12 V、+/-15 V 和 +/-24 V(仅限 REC10K)。此外,REC30K 还具有 2:1 (36-75 VDC) 输入电压范围,而且效率更高。单路输出可在 +/-10% 范围内微调,并提供开/关控制功能。
  车规级PSoC4100S Max通过了AECQ-100,能够承受高达125 °C的环境温度,还支持ASIL-B(达到ISO 26262标准),可帮助集成商实现汽车应用的系统级合规。由于得到英飞凌ModusToolbox?开发平台的支持,开发者能够通过该器件轻松实现各种用例。
新产品除了采用和支持第 6 代玻璃基板的“MPAsp-E813H”一样的每块面板多点同时测量的对位方式(既保证了生产效率也实现了高精度曝光),还搭载了新开发的非线性补正 REI(Real-Time Equalizing distorted Image)模块,从而使其即使曝光幅度扩大也能实现 ±0.30μm 高套刻精度。

分类: 亚德诺芯片