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因此，电源电路需要兼顾小型化和高效率。在这样的电源电路中，需要具有能够支持大电流的小型高电感且直流电阻低的功率电感器。
美台另外，因其像元尺寸相对较小，Teledyne DALSA 的技术使该款产品在使用 4k/7 μm 镜头和照明时无需牺牲响应度和 MTF。此相机兼容标准 M-42 镜头，显著节省系统总成本。
高速率：SPE连接器在40米范围内可实现1Gbps的传输速率。在1000米范围内可提供10Mbps的传输速率，满足新一代的高速数据传输需求。

高可靠性：SPE连接器使用单对双绞线双层屏蔽电缆进行通信，可有效减少信号干扰和传输损耗，提高了通信的可靠性。

适应性强：SPE连接器的卡扣结构让产品在强振动冲击的应用场景下依旧能保持可靠互连，广泛适用于汽车、工业自动化、医疗、建筑楼宇等领域。

　　凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。
推出新系列8款小型高压电子熔断器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多种供电线路保护功能。首批两款产品“TCKE903NL”与“TCKE905ANA”于今日开始支持批量出货，其他产品将陆续上市。
　　此外，新产品还具有过热保护和短路保护功能，当电路产生异常热量或发生意外短路时，可通过立即关闭eFuse IC来保护电路。eFuse IC的另一个优势是消除复杂的电路设计，并减少组件数量——与使用分立部件实现保护功能相比，可以实现更简单的电路设计，使用更少的组件和更小的面积。
相比背对背硅FET，使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% – 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本。
　　三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续扩大低功耗DRAM的市场。随着市场对高性能、高密度且封装尺寸更小的移动存储解决方案的需求持续增长，三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。

　　Gemini 是 Pixel 智能手机上的 AI 助手，它与 Google 应用“深度集成”，支持 Pro 机型上的 Gemini Live。Gemini Live 需要 Gemini Advanced 订阅，并提供“移动对话体验”，以便与 AI 进行“自由对话”。Pixel 用户可以使用文本、图像或语音与 Gemini 交流。Pixel Studio 是一款新应用，具有设备内置图像生成器，可使用基于文本的提示创建贴纸和图像。
美台　　对此，通过利用基于村田特有的陶瓷及电极材料微粒化和均匀化的薄层成型技术以及高精度叠层技术，村田开发出尺寸为0.4mm×0.2mm的超小型低损耗片状多层陶瓷电容器，能保证在150℃的温度下工作、额定电压为100V。与村田之前的产品（0603M尺寸）相比，成功地实现了小型化，将贴装面积缩减了约35%，体积缩小了约55%。由此为无线通信模块的小型化做出了贡献。此外，产品小型化还有助于减少材料和生产过程中的能源消耗。
　　eSIM支持在无需物理访问的情况下远程更换运营商。设备所有者与选定的移动网络运营商 (MNO) 签订协议，并通过物联网eSIM远程管理器 (eIM) 触发配置文件过程。这种全新的架构显著简化了设备所有者更换运营商的过程。
　　AI 工作负载需要高性能的存储解决方案。9550 SSD 凭借其卓越的顺序和随机读写速率为 AI 用例解锁了出众性能。例如，大型语言模型（LLM）需要高顺序读取速率，而图形神经网络（GNN）则需要高随机读取性能。