瑞萨

　　东芝刚刚发布了一款采用 1.9 x 1.9mm WCSP 封装的 700MHz 至 5GHz 单刀双掷天线开关。
　　东芝射频开关 TCWA1225G
　　该公司表示：“TCWA1225G 的输入峰值功率为 46dBm，PAR 为 8dB。这是通过采用东芝原创的 CMOS 工艺并优化内部开关电路实现的。”
瑞萨英飞凌CoolSiC G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中树立高质量标杆，并进一步利用英飞凌独特的XT互联技术来提高半导体芯片的性能和散热能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号）。
LMR技术提供了冲击和10～300 Hz的宽带频率响应，提供和细腻的反馈，同时也为游戏、VR、可穿戴设备和计算机外设提供了敏锐的冲击触觉维度。TacHammer Carlton提供3.6 Grms的宽带稳态加速度和25G的冲击加速度。

三星凭借其创新的Galaxy AI技术，正式迈入了移动AI的新时代。Galaxy AI，作为三星智能生态系统中的核心组成部分，为用户带来了前所未有的个性化与智能化体验。这一里程碑式的进步不仅仅是一个技术上的突破，更是对未来移动生活方式的重新定义。
　　SIM（用户身份模块）能够对电信运营商网络中的设备进行身份验证。SIM拥有不同的封装形式，而且尺寸随着时间的推移不断缩小，以满足设备制造商节省空间的需求。
SC130HS是思特威首颗基于SmartClarity-XL工艺平台打造的手机图像传感器。新品SC130HS采用55nm Stacked BSI工艺制程，搭载了SFCPixel、PixGain HDR等思特威先进成像技术和工艺，凭借高动态范围、高帧率、低噪声、低功耗等性能优势，可为高端智能手机前摄以及主流智能手机主摄带来出众的质感影像表现。
　　美光 9550 SSD 凭借 14.0 GB/s 的顺序读取速率和 10.0 GB/s 的顺序写入速率，提供出色的性能，与业界同类 SSD 相比，其性能提升高达 67%，为 AI 等要求苛刻的工作负载带来业界领先的性能表现。此外，其随机读取速率达到 3,300 KIOPS，比竞品提升高达 35%，随机写入速率达到 400 KIOPS，比竞品提升高达 33%。
　　随着PIC64产品组合的推出，Microchip 已成为一家同时开发全系列 8位、16位、32位和64位单片机 （MCU）和微处理器（MPU）的嵌入式解决方案供应商。

与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
瑞萨　　“沉浸式显示娱乐现在受到日常消费者的追捧，而不仅仅是电影爱好者和游戏玩家，”TI 数字光投影机总经理 Jeff Marsh 说。“消费者曾经需要一台大电视或显示器来获得清晰明了的显示效果，而现在他们可以使用生活方式或游戏投影仪，并将墙壁变成他们选择的屏幕尺寸。”
　　SC538HGS作为基于BSI结构设计融合近红外增强技术的工业面阵全局快门CMOS图像传感器，真正实现了可见光与近红外光下的超高感度。SC538HGS在520nm可见光波段下的峰值量子效率高达92.3%，较市场同规格竞品提升约17.3%，并且，其在850nm与940nm近红外波段下的峰值量子效率分别较前代产品提升约17.5%与8.6%。整体感度的大幅提升，让SC538HGS能够轻松应对可见光与近红外光下的各种复杂光线挑战。
可穿戴终端作为佩戴在身体上的设备，在被要求小型化、高性能化的同时，还要长时间运行。特别是对于 TWS，还要求多功能化，如降噪功能、支持高分辨率音频、拆装检测和位置信息获取等各种传感器的高度化等。